韩国科学家研制出透明存储芯片

　　据韩联社报道，韩国一科研组15日宣布，他们首次研发出透明存储器元件制造技术，这为透明计算机等未来透明电子技术的研究奠定了基础。

　　以韩国科技院电子电算学系的林宏树教授、徐正源和朴在宇为首的科研小组表示，在透明玻璃电路板上将透明金属氧化物作为电极，制成了新一代透明阻变式存储器(trram)元件。trram元件，与目前许多人使用的采用互补性氧化金属(cmos)半导体的usb型闪存一样，即使切断电源，存储的数据也不会消失，属于非挥发性元件。但由于该存储器是通过将透明氧化膜和电极在透明的玻璃或塑料电路板上制作出来的，整体呈透明状，因此制作工艺比现有的硅电路板cmos闪存简单得多，并且使用寿命也长达10年以上。透明存储器在技术上采用的是目前已经开始进行商业研发的阻变式存储器(rram)。rram由透明金属氧化物制成，结构简单，可以弥补现有的cmos半导体技术的不足，作为新一代存储器元件备受期待。

　　朴在宇教授说：“这种透明芯片有可能开辟电器和机器研发的新篇章。”

　　该项突破性技术发表在由美国物理协会(aip)发行的《应用物理快报》(applied physics letters)12月版上，美国物理协会还在网站主页介绍了该项技术，引起了很大关注。